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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTD113ZUT106
DTD113ZUT106

DTD113ZUT106 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTD113ZUT106
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTD113ZUT106 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DTD113ZUT106.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
177450 pcs
Referenzpreis
USD 0.1469/pcs
Unser Preis
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DTD113ZUT106 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTD113ZUT106
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket UMT3
Gewicht -
Ursprungsland -

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