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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTC123JCAT116
DTC123JCAT116

DTC123JCAT116 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTC123JCAT116
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTC123JCAT116 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DTC123JCAT116.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
640789 pcs
Referenzpreis
USD 0.0399/pcs
Unser Preis
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DTC123JCAT116 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTC123JCAT116
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SST3
Gewicht -
Ursprungsland -

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