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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTC114EU3T106
DTC114EU3T106

DTC114EU3T106 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTC114EU3T106
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTC114EU3T106 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4729972 pcs
Referenzpreis
USD 0.03481/pcs
Unser Preis
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DTC114EU3T106 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTC114EU3T106
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased + Diode
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket UMT3
Gewicht -
Ursprungsland -

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