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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTB513ZMT2L
DTB513ZMT2L

DTB513ZMT2L - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTB513ZMT2L
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTB513ZMT2L PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DTB513ZMT2L.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
328391 pcs
Referenzpreis
USD 0.0774/pcs
Unser Preis
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DTB513ZMT2L detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTB513ZMT2L
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 260MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Lieferantengerätepaket VMT3
Gewicht -
Ursprungsland -

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