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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTA123JETL
DTA123JETL

DTA123JETL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTA123JETL
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTA123JETL PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
432809 pcs
Referenzpreis
USD 0.0621/pcs
Unser Preis
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DTA123JETL detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTA123JETL
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-75, SOT-416
Lieferantengerätepaket EMT3
Gewicht -
Ursprungsland -

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