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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTA123JEBTL
DTA123JEBTL

DTA123JEBTL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTA123JEBTL
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTA123JEBTL PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
692631 pcs
Referenzpreis
USD 0.038/pcs
Unser Preis
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DTA123JEBTL detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTA123JEBTL
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-89, SOT-490
Lieferantengerätepaket EMT3F (SOT-416FL)
Gewicht -
Ursprungsland -

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