BR25G512FVT-3GE2

BR25G512FVT-3GE2 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
BR25G512FVT-3GE2
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
SPI BUS EEPROM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
300485 pcs
Referenzpreis
USD 0.60924/pcs
Unser Preis
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BR25G512FVT-3GE2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BR25G512FVT-3GE2
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM
Speichergröße 512Kb (64K x 8)
Taktfrequenz 10MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 5ms
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle SPI
Spannungsversorgung 1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP-B
Gewicht -
Ursprungsland -

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