| Artikelnummer | BA4560 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Verstärkertyp | General Purpose |
| Anzahl der Schaltungen | 2 |
| Ausgabetyp | - |
| Anstiegsrate | 4 V/µs |
| Bandbreitenprodukt erhalten | 10MHz |
| -3db Bandbreite | - |
| Aktuell - Eingangsabweichung | 50nA |
| Spannung - Eingangsoffset | 500µV |
| Strom - Versorgung | 4mA |
| Strom - Ausgang / Kanal | 25mA |
| Spannung - Versorgung, Single / Dual (±) | 8 V ~ 30 V, ±4 V ~ 15 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-DIP |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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BA 595 B6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 50MA SOD-323 | Einzelheiten |
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BA 779 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23 | Einzelheiten |
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BA 892 E6127 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 | Einzelheiten |
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BA 892 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 | Einzelheiten |
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BA 892 E6433 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 | Einzelheiten |
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BA 892 L6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 | Einzelheiten |
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BA 892-02L E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA TSLP-2 | Einzelheiten |
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BA 892-02V E6127 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SC-79 | Einzelheiten |
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BA 892-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SC-79 | Einzelheiten |
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BA 892-02V E6433 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SC-79 | Einzelheiten |
