1SS356TW11 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	1SS356TW11
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard - Single
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	35V
Strom - max	100mA
Kapazität @ Vr, F	1.2pF @ 6V, 1MHz
Widerstand @ If, F	900 mOhm @ 2mA, 100MHz
Verlustleistung (Max)	200mW
Betriebstemperatur	125°C (TJ)
Paket / Fall	SC-90, SOD-323F
Lieferantengerätepaket	UMD2
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
1SS300	TOSHIBA	1SS300 TOSHIBA SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
1SS300,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM	Einzelheiten
1SS301	TOS	1SS301 TOS SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
1SS301,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM	Einzelheiten
1SS301CCW	SEMTECH_ELEC	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	Einzelheiten
1SS301SU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70	Einzelheiten
1SS302	TOSHIBA	1SS302 TOSHIBA SOT-32.. New Original Stocks	Einzelheiten
1SS302A,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SW 80V 100MA USM SC70	Einzelheiten
1SS302TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70	Einzelheiten
1SS303	KEXIN	HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DOUBLE DIODE	Einzelheiten