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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › RJP4009ANS-01#Q6
RJP4009ANS-01#Q6

RJP4009ANS-01#Q6 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJP4009ANS-01#Q6
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IGBT 400V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RJP4009ANS-01#Q6 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
40049 pcs
Referenzpreis
USD 0.6615/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern RJP4009ANS-01#Q6

RJP4009ANS-01#Q6 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJP4009ANS-01#Q6
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 400V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 9V @ 2.5V, 150A
Leistung max 1.8W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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