| Artikelnummer | RJK6012DPE-00#J3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 100W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 920 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 4-LDPAK |
| Paket / Fall | SC-83 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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RJK6011DJE-00#Z0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92 | Einzelheiten |
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RJK6014DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 16A TO220 | Einzelheiten |
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