| Artikelnummer | RJK1056DPB-00#J5 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 65W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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RJK1051DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK | Einzelheiten |
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RJK1052DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK | Einzelheiten |
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RJK1053DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | Einzelheiten |
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RJK1054DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LFPAK | Einzelheiten |
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RJK1055DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK | Einzelheiten |
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RJK1056DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | Einzelheiten |
