| Artikelnummer | RJK0856DPB-00#J5 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 65W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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RJK0851DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK | Einzelheiten |
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RJK0852DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK | Einzelheiten |
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RJK0853DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK | Einzelheiten |
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RJK0854DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V LFPAK | Einzelheiten |
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RJK0855DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK | Einzelheiten |
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RJK0856DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK | Einzelheiten |
