| Artikelnummer | RJK0654DPB-00#J5 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 55W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
RJK0651DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK | Einzelheiten |
|
RJK0652DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK | Einzelheiten |
|
RJK0653DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK | Einzelheiten |
|
RJK0654DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V LFPAK | Einzelheiten |
|
RJK0655DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK | Einzelheiten |
|
RJK0656DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK | Einzelheiten |
 |
RJK0658DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 25A WPAK | Einzelheiten |
|
RJK0659DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 30A WPAK | Einzelheiten |
