RJK0353DPA-WS#J0B

RJK0353DPA-WS#J0B - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJK0353DPA-WS#J0B
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
17060 pcs
Referenzpreis
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RJK0353DPA-WS#J0B detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJK0353DPA-WS#J0B
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 40W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket WPAK(3F) (5x6)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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