RJK0305DPB-02#J0

RJK0305DPB-02#J0 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJK0305DPB-02#J0
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
39599 pcs
Referenzpreis
USD 0.6622/pcs
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RJK0305DPB-02#J0 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJK0305DPB-02#J0
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 10V
Vgs (Max) +16V, -12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LFPAK
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Gewicht -
Ursprungsland -

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