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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › RJH60M3DPE-00#J3
RJH60M3DPE-00#J3

RJH60M3DPE-00#J3 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJH60M3DPE-00#J3
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 35A 113W LDPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RJH60M3DPE-00#J3 PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3715 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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RJH60M3DPE-00#J3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJH60M3DPE-00#J3
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 35A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 17A
Leistung max 113W
Energie wechseln 290µJ (on), 290µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 60nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 38ns/90ns
Testbedingung 300V, 17A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 90ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-83
Lieferantengerätepaket 4-LDPAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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