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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › RJH60A83RDPD-A0#J2
RJH60A83RDPD-A0#J2

RJH60A83RDPD-A0#J2 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJH60A83RDPD-A0#J2
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 10A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RJH60A83RDPD-A0#J2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4247 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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RJH60A83RDPD-A0#J2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJH60A83RDPD-A0#J2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 20A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 10A
Leistung max 51W
Energie wechseln 230µJ (on), 160µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 19.7nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 31ns/54ns
Testbedingung 300V, 10A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 130ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket TO-252
Gewicht -
Ursprungsland -

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