RJH1BF7RDPQ-80#T2 - Renesas Electronics America

Artikelnummer	RJH1BF7RDPQ-80#T2
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1100V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	-
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 60A
Leistung max	250W
Energie wechseln	-
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	-
Td (ein / aus) bei 25 ° C	-
Testbedingung	-
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	RJH1BF6RDPQ-80#T2	Renesas Electronics America	IGBT 1100V 55A 227.2W TO247	Einzelheiten
	RJH1BF7RDPQ-80#T2	Renesas Electronics America	IGBT 1100V 60A 250W TO247	Einzelheiten