NP83P04PDG-E1-AY detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NP83P04PDG-E1-AY |
Teilstatus |
Discontinued at Digi-Key |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
83A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
200nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
9820pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.8W (Ta), 150W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
5.3 mOhm @ 41.5A, 10V |
Betriebstemperatur |
175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
TO-263 |
Paket / Fall |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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