H7N1002LSTL-E detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
H7N1002LSTL-E |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
75A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
155nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
9700pF @ 10V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
100W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
10 mOhm @ 37.5A, 10V |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
4-LDPAK |
| Paket / Fall |
SC-83 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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