H5N2522LSTL-E

H5N2522LSTL-E - Renesas Electronics America

Artikelnummer
H5N2522LSTL-E
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
19148 pcs
Referenzpreis
USD 1.4/pcs
Unser Preis
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H5N2522LSTL-E detaillierte Beschreibung

Artikelnummer H5N2522LSTL-E
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 75W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 4-LDPAK
Paket / Fall SC-83
Gewicht -
Ursprungsland -

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