Artikelnummer | 2SK2221-E |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 100W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3P |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |