| Artikelnummer | PG1083.682NL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Art | Wirewound |
| Material - Kern | - |
| Induktivität | 6.8µH |
| Toleranz | ±20% |
| Aktuelle Bewertung | 22A |
| Aktuell - Sättigung | 20A |
| Abschirmung | Unshielded |
| Gleichstromwiderstand (DCR) | 3.8 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| Frequenz - Eigenresonant | - |
| Bewertungen | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Häufigkeit - Test | - |
| Eigenschaften | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | Nonstandard |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Größe / Dimension | 0.854" L x 0.846" W (21.70mm x 21.50mm) |
| Höhe - Sitzend (Max) | 0.492" (12.50mm) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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PG1001 | EXSHINE | 2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors | Einzelheiten |
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PG1002 | EXSHINE | 2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors | Einzelheiten |
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PG1003 | EXSHINE | 2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors | Einzelheiten |
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PG1004 | EXSHINE | 2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors | Einzelheiten |
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PG1005 | EXSHINE | 2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors | Einzelheiten |
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PG1006 | EXSHINE | 2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors | Einzelheiten |
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PG1007 | EXSHINE | 2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors | Einzelheiten |
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PG1008 | EXSHINE | 2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors | Einzelheiten |
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PG1009 | EXSHINE | 2 AMP / NPN-PNP Pirgo silicon planar power transistors | Einzelheiten |
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PG100R | PANJIT | GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIERS | Einzelheiten |
