XP0NG8A00L detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
XP0NG8A00L |
Teilstatus |
Obsolete |
Transistor-Typ |
PNP - Pre-Biased + Diode |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
4.7k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
4.7k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
20 @ 5mA, 10V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
Frequenz - Übergang |
80MHz |
Leistung max |
150mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket |
SMINI6-G1 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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