Artikelnummer | SK8603190L |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 19A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1.01mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1092pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.7W (Ta), 19W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-HSO |
Paket / Fall | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |