DME914C10R detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
DME914C10R |
| Teilstatus |
Active |
| Transistor-Typ |
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA, 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V, 12V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
4.7k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
47k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
| Frequenz - Übergang |
300MHz |
| Leistung max |
125mW |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket |
SSMini6-F3-B |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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