Artikelnummer | 2SD11990S |
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Teilstatus | Obsolete |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 40V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 1mA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 600 @ 2mA, 10V |
Leistung max | 400mW |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | 3-SIP |
Lieferantengerätepaket | M-A1 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |