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| Artikelnummer | 2SC13180RA |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
| Leistung max | 625mW |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92B-B1 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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2SC1000 | EXSHINE | SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR | Einzelheiten |
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