VEC2616-TL-H-Z - ON Semiconductor

Artikelnummer	VEC2616-TL-H-Z
Teilstatus	Last Time Buy
FET Typ	N and P-Channel
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate, 4V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3A, 2.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	505pF @ 20V
Leistung max	1W
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket	SOT-28FL/VEC8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VEC2616-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8	Einzelheiten
VEC2616-TL-H-Z	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8	Einzelheiten
VEC2616-TL-H-Z-W	ON Semiconductor	PCHNCH 4V DRIVE SERIES	Einzelheiten
VEC2616-TL-W	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8	Einzelheiten
VEC2616-TL-W-Z	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8	Einzelheiten