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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › TIP111G
TIP111G

TIP111G - ON Semiconductor

Artikelnummer
TIP111G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TIP111G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5452 pcs
Referenzpreis
USD 0.64/pcs
Unser Preis
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TIP111G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TIP111G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 4V
Leistung max 2W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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