NVMFS5C404NAFT1G - ON Semiconductor

Artikelnummer	NVMFS5C404NAFT1G
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	53A (Ta), 378A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	128nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8400pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.9W (Ta), 200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	0.7 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall	8-PowerTDFN, 5 Leads
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NVMFS5113PLT1G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL	Einzelheiten
NVMFS5113PLWFT1G	ON Semiconductor	NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM	Einzelheiten
NVMFS5826NLT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL	Einzelheiten
NVMFS5826NLT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL	Einzelheiten
NVMFS5826NLWFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL	Einzelheiten
NVMFS5826NLWFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL	Einzelheiten
NVMFS5830NLT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL	Einzelheiten
NVMFS5830NLT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL	Einzelheiten
NVMFS5830NLWFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL	Einzelheiten
NVMFS5830NLWFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL	Einzelheiten