NVHL072N65S3 - ON Semiconductor

Artikelnummer	NVHL072N65S3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	72 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 400V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	312W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Paket / Fall	TO-247-3 Variant
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NVHL027N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247 PKG	Einzelheiten
NVHL040N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247 PKG	Einzelheiten
NVHL072N65S3	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V TO247 PKG	Einzelheiten
NVHL080N120SC1	ON Semiconductor	SIC MOS TO247-3L 80MW 120	Einzelheiten
NVHL082N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V FRFET82MO	Einzelheiten
NVHL110N65S3F	ON Semiconductor	SUPERFET3 650V FRFET110M	Einzelheiten