| Artikelnummer | NVD5862NT4G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 98A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 48A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 4.1W (Ta), 115W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK | Einzelheiten |
|
NVD5407NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK | Einzelheiten |
 |
NVD5413NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK | Einzelheiten |
|
NVD5414NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | Einzelheiten |
|
NVD5414NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | Einzelheiten |
|
NVD5484NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 54A DPAK | Einzelheiten |
|
NVD5484NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 54A DPAK | Einzelheiten |
|
NVD5490NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17A DPAK | Einzelheiten |
|
NVD5490NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17A DPAK | Einzelheiten |
|
NVD5802NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK | Einzelheiten |
