NVD4806NT4G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NVD4806NT4G |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
11.3A (Ta), 79A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 11.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
23nC @ 4.5V |
Vgs (Max) |
±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2142pF @ 12V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.4W (Ta), 68W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
DPAK |
Paket / Fall |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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