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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › NTD110N02R-001
NTD110N02R-001

NTD110N02R-001 - ON Semiconductor

Artikelnummer
NTD110N02R-001
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NTD110N02R-001 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3997 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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NTD110N02R-001 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NTD110N02R-001
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 24V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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