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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › NSVMUN5131T1G
NSVMUN5131T1G

NSVMUN5131T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSVMUN5131T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSVMUN5131T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
514158 pcs
Referenzpreis
USD 0.0505/pcs
Unser Preis
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NSVMUN5131T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSVMUN5131T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 2.2k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 202mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323)
Gewicht -
Ursprungsland -

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