NSVF6003SB6T1G detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
NSVF6003SB6T1G |
| Teilstatus |
Active |
| Transistor-Typ |
NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
12V |
| Frequenz - Übergang |
7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) |
3dB @ 1GHz |
| Gewinnen |
9dB |
| Leistung max |
800mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 50mA, 5V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
150mA |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket |
6-CPH |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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