NSV1C201MZ4T1G detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
NSV1C201MZ4T1G |
| Teilstatus |
Active |
| Transistor-Typ |
NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
100V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
180mV @ 200mA, 2A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
120 @ 500mA, 2V |
| Leistung max |
800mW |
| Frequenz - Übergang |
100MHz |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket |
SOT-223 (TO-261) |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR NSV1C201MZ4T1G
