NSM11156DW6T1G detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
NSM11156DW6T1G |
| Teilstatus |
Obsolete |
| Transistor-Typ |
1 PNP Pre-Biased, 1 PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V, 65V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
10k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
10k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
| Frequenz - Übergang |
- |
| Leistung max |
230mW |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR NSM11156DW6T1G
