NSB1706DMW5T1G detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
NSB1706DMW5T1G |
| Teilstatus |
Active |
| Transistor-Typ |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
4.7k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
47k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 1mA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
| Frequenz - Übergang |
- |
| Leistung max |
250mW |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Lieferantengerätepaket |
SC-88A (SC-70-5 / SOT-353) |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR NSB1706DMW5T1G
