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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › NSB13211DW6T1G
NSB13211DW6T1G

NSB13211DW6T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSB13211DW6T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSB13211DW6T1G PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3777 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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NSB13211DW6T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSB13211DW6T1G
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k, 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 4.7k, 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 230mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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