NGTG20N60L2TF1G - ON Semiconductor

Artikelnummer	NGTG20N60L2TF1G
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	40A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	105A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	1.65V @ 15V, 20A
Leistung max	64W
Energie wechseln	-
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	84nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	60ns/193ns
Testbedingung	300V, 20A, 30 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-3P-3 Full Pack
Lieferantengerätepaket	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	NGTG20N60L2TF1G	ON Semiconductor	IGBT 600V 40A 64W TO-3PF	Einzelheiten
	NGTG25N120FL2WG	ON Semiconductor	IGBT 1200V 25A TO-247	Einzelheiten