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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › NGTD28T65F2WP
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP - ON Semiconductor

Artikelnummer
NGTD28T65F2WP
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NGTD28T65F2WP PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1165 pcs
Referenzpreis
USD 3.5217/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NGTD28T65F2WP
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
Leistung max -
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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