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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › NGTB40N60FL2WG
NGTB40N60FL2WG

NGTB40N60FL2WG - ON Semiconductor

Artikelnummer
NGTB40N60FL2WG
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 80A 366W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NGTB40N60FL2WG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
11700 pcs
Referenzpreis
USD 3.9107/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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NGTB40N60FL2WG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NGTB40N60FL2WG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 160A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Leistung max 366W
Energie wechseln 970µJ (on), 440µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 84ns/177ns
Testbedingung 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 72ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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