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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › NGTB30N120IHSWG
NGTB30N120IHSWG

NGTB30N120IHSWG - ON Semiconductor

Artikelnummer
NGTB30N120IHSWG
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 30A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NGTB30N120IHSWG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
57022 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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NGTB30N120IHSWG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NGTB30N120IHSWG
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Leistung max 192W
Energie wechseln 1mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 220nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -/210ns
Testbedingung 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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