NCD5703ADR2G - ON Semiconductor

Artikelnummer	NCD5703ADR2G
Teilstatus	Active
Angetriebene Konfiguration	Half-Bridge
Kanaltyp	Single
Anzahl der Treiber	1
Tortyp	IGBT
Spannungsversorgung	20V
Logikspannung - VIL, VIH	0.75V, 4.3V
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke)	7.8A, 6.8A
Eingabetyp	Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap)	-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)	9.2ns, 7.9ns
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOIC
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NCD57000DWR2G	ON Semiconductor	GALVANIC ISOLATED HIGH CU	Einzelheiten
NCD57001DWR2G	ON Semiconductor	GALVANIC ISOLATED HIGH CU	Einzelheiten
NCD5700DR2G	ON Semiconductor	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	Einzelheiten
NCD5701ADR2G	ON Semiconductor	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	Einzelheiten
NCD5701BDR2G	ON Semiconductor	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	Einzelheiten
NCD5701CDR2G	ON Semiconductor	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	Einzelheiten
NCD5702DR2G	ON Semiconductor	METAL SPIN OF NCD5702. HI	Einzelheiten
NCD5703ADR2G	ON Semiconductor	METAL SPIN OF NCD5703A. H	Einzelheiten
NCD5703BDR2G	ON Semiconductor	METAL SPIN OF NCD5703B. H	Einzelheiten
NCD5703CDR2G	ON Semiconductor	METAL SPIN OF NCD5703C. H	Einzelheiten