MUN5316DW1T1G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MUN5316DW1T1G |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
4.7k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
- |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
160 @ 5mA, 10V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 1mA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
Frequenz - Übergang |
- |
Leistung max |
250mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR MUN5316DW1T1G