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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › MUN2235T1G
MUN2235T1G

MUN2235T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
MUN2235T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MUN2235T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1269174 pcs
Referenzpreis
USD 0.0206/pcs
Unser Preis
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MUN2235T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MUN2235T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 230mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket SC-59-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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