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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › MTP10N10ELG
MTP10N10ELG

MTP10N10ELG - ON Semiconductor

Artikelnummer
MTP10N10ELG
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MTP10N10ELG PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3946 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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MTP10N10ELG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MTP10N10ELG
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.75W (Ta), 40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 5A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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